P/N  : MDIS4N60
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 67.5 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: ± 30  V
Maximum Drain Current |Id|: 3.5 A
Ciss: 660 pF
Coss: 75 pF
Crss: 3 pF
Qg: 12.1 nC
Qgs: 3.5 nC
Qgd: 4.4 nC
Package: TO-251-3S
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Package: TO-251-3S

Manufacturer

Package/Case

Type

Continuous Drain Current (Id)

Drain Source Voltage (Vdss)

Power Dissipation (Pd)

نظرات

هیچ نظری ثبت نشده است.

اولین نفر باشید در نظر دادن به “ماسفت MDIS4N60 نوع N-Channel تایوانی مارک MAGNACHIP پکیج TO-251-3S”

آدرس ایمیل شما منتشر نخواهد شد. قسمتهای مورد نیاز علامت گذاری شده اند