P/N : MDIS4N60
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 67.5 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: ± 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 3.5 A
Ciss: 660 pF
Coss: 75 pF
Crss: 3 pF
Qg: 12.1 nC
Qgs: 3.5 nC
Qgd: 4.4 nC
Package: TO-251-3S
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Package: TO-251-3S
ماسفت MDIS4N60 نوع N-Channel تایوانی مارک MAGNACHIP پکیج TO-251-3S
ماسفت 600 ولت 3.5 آمپر MDIS4N60 نوع N-Channel مارک MAGNACHIP پکیج TO-251-3S
| Manufacturer | |
|---|---|
| Package/Case | |
| Type | |
| Continuous Drain Current (Id) | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | |
| Power Dissipation (Pd) |




دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.