Brand : Toshiba
P/N : K40E10N1
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 126 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 100 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: ±20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 90 A
Low drain-source on-resistance (Rِds) : 6.8 Ω
Ciss : 3000 pF
Qg : 49 nC
Package: TO220

Manufacturer

Package/Case

Type

Continuous Drain Current (Id)

Drain Source Voltage (Vdss)

Power Dissipation (Pd)

Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

نظرات

هیچ نظری ثبت نشده است.

اولین نفر باشید در نظر دادن به “ماسفت K40E10N1 نوع N-Channel تایوانی مارک TOSHIBA پکیج TO-220”

آدرس ایمیل شما منتشر نخواهد شد. قسمتهای مورد نیاز علامت گذاری شده اند