Brand : Toshiba
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 35 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: ±30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 6 A
Low drain-source on-resistance (Rِds) : 1 Ω
Ciss : 740 pF
Qg : 21 nC
Package: TO220FP
ماسفت K1K2A60F نوع N-Channel تایوانی مارک TOSHIBA پکیج TO-220FP
ماسفت 600 ولت 6 آمپر K1K2A60F مارک TOSHIBA نوع N-Channel پکیج TO-220FP
| Manufacturer | |
|---|---|
| Package/Case | |
| Type | |
| Continuous Drain Current (Id) | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | |
| Power Dissipation (Pd) | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) |





دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.