Package / Case: TO-220-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V
Id – Continuous Drain Current: 2.3 A
Rds On – Drain-Source Resistance: 1.5 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Fall Time: 8.9 ns
Height: 9.01 mm
Length: 10.41 mm
Minimum Operating Temperature: – 55 C
Pd – Power Dissipation: 36 W
Rise Time: 17 ns
Factory Pack Quantity: 1000
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 14 ns
Typical Turn-On Delay Time: 8.2 ns

Manufacturer

Package/Case

Type

Continuous Drain Current (Id)

Drain Source Voltage (Vdss)

Power Dissipation (Pd)

Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

نظرات

هیچ نظری ثبت نشده است.

اولین نفر باشید در نظر دادن به “ماسفت IRF610 نوع N-channel پکیج TO-220”

آدرس ایمیل شما منتشر نخواهد شد. قسمتهای مورد نیاز علامت گذاری شده اند