Type Designator: AP02N60P
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 39 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 2 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 12 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 27 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 8 Ohm
Package: TO220
ماسفت 02N60P نوع N-Channel تایوانی مارک Advanced Power پکیج TO-220
ماسفت 600 ولت 2 آمپر 02N60P تایوانی مارک Advanced Power نوع N-Channel پکیج TO-220
| Manufacturer | |
|---|---|
| Package/Case | |
| Type | |
| Continuous Drain Current (Id) | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | |
| Power Dissipation (Pd) | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) |




دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.